与采用400mil DIP-8封装的HCNW/ACNW相比,ACNU-3410和ACNU-3430栅极驱动光耦合器在性能上有一定的提升,尺寸也减小了40%。这些光耦合器的共模瞬态抑制 (CMTI) 大于100kV/µs,有助于防止在噪声环境中出现错误的栅极驱动器故障。此外,这些器件具有最低传播延迟(比上一代器件快三倍),可实现高频开关,从而提高驱动IGBT和SiC/GaN MOSFET的效率。
特性
- 峰值输出电流:
- ACNU-3410:3A
- ACNU-3430:5A
- 11mm爬电距离
- 10.5mm间隙距离
- 轨到轨输出电压
- 欠压锁定功能,带负电源的VE参考
- 最大传播延迟为150ns
- 最大传播延迟差为90ns
- 带磁滞的LED电流输入
- 100kV/µs最小共模抑制 (CMR)(VCM = 1500V时)
- ICC = 5.0mA最大电源电流
- 带磁滞的欠压锁定保护 (UVLO)
- 15V至30V工作VCC范围
- 工业温度范围:-40°C至+110°C
- 安全认证
- UL认证:5000VRMS,持续1分钟
- CSA认证
- IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 VIORM = 1,414 VPEAK
应用
- IGBT/MOSFET栅极驱动器
- 交流电机驱动器
- 无刷直流电机驱动器
- 可再生能源逆变器
- 工业逆变器
- 开关电源
视频
发布日期: 2017-08-18
| 更新日期: 2022-03-11

