Broadcom AFBR-S4N22P014M NUV-MT光电倍增管阵列
Broadcom AFBR-S4N22P014M NUV-MT光电倍增管阵列设计用于单光子的超灵敏精密测量。该光电倍增管阵列具有出色的单光子时间分辨率 (SPTR) 和CRT。此光电倍增管阵列还具有出色的设备间击穿电压和增益均匀性。AFBR-S4N22P014M SiPM阵列配备高透光环氧树脂保护层，在可见光光谱范围内具有宽广的响应特性，对蓝色和近紫外区域具有高灵敏度。该光电倍增管阵列的工作温度范围为-20°C至60°C，符合RoHS、CFM和REACH标准。典型应用包括X射线与伽马射线检测、核医学、正电子发射断层扫描、安全与安防、物理实验及切伦科夫光检测。
特性
- 高光探测效率（PDE）：63%（420nm时）
- 四面可平铺，具有高填充系数
- 40μm电池间距
- 高度透明的环氧树脂保护层
- 工作温度范围：-20°C至60°C
- 单通道
- 出色的SPTR和CRT
- 出色的设备间击穿电压和增益均匀性
- 符合RoHS指令以及CFM和REACH标准
规范
- 最高焊接温度：245°C
- 最大静电放电电压能力（HBM）：2kV
- 最大静电放电电压能力（CDM）：500V
- 最大工作过压：16V
- 每个元件的暗电流：0.98µA（典型值）
- 击穿电压：32.5 V（典型值）
- 峰值灵敏度波长：420nm（典型值）
- 标称端子电容：160pF（典型值）
- 充电时间常数：55ns（典型值）
- 2.71 mm x 2.48 mm 封装
应用
- X射线和伽马射线检测
- 核医学
- 正电子发射计算机断层扫描
- 安全与安保
- 物理实验
- 切伦科夫检测
框图
封装外形
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评估套件
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发布日期: 2024-01-31
| 更新日期: 2024-12-27