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Broadcom APML-600JV/JT光耦MOSFET

Broadcom APML-600JV/JT光耦MOSFET是高压汽车光耦MOSFET，设计用于汽车应用。该MOSFET 包括一个AlGaAs红外发光二极管 (LED)，LED的输入级光耦合到高压输出检测器电路。  该检测器包括高速光伏二极管阵列和驱动器电路，用于打开/关闭两个分立的高压MOSFET。  APML-600JV/JT光耦MOSFET在通过输入LED的电流只有1.5mA时就能打开（触点闭合）。该光耦MOSFET在输入电压为0.4V或更低时就关闭（触点打开）。APML-600JV/JT MOSFET是一款紧凑型固态双向信号开关，符合AEC-Q101标准。APML-600JV/JT MOSFET采用增强型绝缘，具有高可靠性，可在汽车和高温工业应用中提供安全的信号隔离。此系列MOSFET非常适合用于电池绝缘电阻测量/漏电检测和电池管理系统（BMS）。

特性

  • 紧凑型固态双向信号开关
  • 符合 AEC-Q101
  • 汽车级温度范围：
    • APML-600JV：TA =-40°C至+105°C
    • APML-600JT：TA =-40°C至+125°C
  • 击穿电压（VO(OFF) ）：1500V（IO(OFF) =250μA时）
  • 耐雪崩级MOSFET
  • 低断态漏电流：
    • APML-600JV：IO(OFF) <500nA（VDS =1000V时）
    • APML-600JT：IO(OFF) <1000nA（VDS =1000V时）
  • 导通电阻：RON <900Ω（IO =1mA时）
  • 导通时间：TON <2.0ms
  • 关断时间：TOFF <0.5ms
  • 300mil SO-16封装
  • 爬电距离和电气间隙：≥8mm（输入-输出）
  • 爬电距离：>5mm（MOSFET漏极引脚之间）
  • 安全和监管机构认证：
    • IEC/EN/DIN EN 60747-5-5
    • 最大工作绝缘电压：1414VPEAK
    • UL/cUL 1577，5000VRMS 持续1分钟

应用

  • 电池绝缘电阻测量/漏电检测
  • 电池管理系统 (BMS)

功能图

框图 - Broadcom APML-600JV/JT光耦MOSFET

封装外形图纸

机械图纸 - Broadcom APML-600JV/JT光耦MOSFET
发布日期: 2024-03-12 | 更新日期: 2024-03-25