Cree Z-FET™ 1200V Silicon Carbide Power MOSFETs

Cree Z-FET™碳化硅功率MOSFET

Cree Z-FET™碳化硅（SiC）功率MOSFET可让工程师取代硅晶体管（IGBT），开发出具有超快开关速度和极低开关损耗的高电压回路。在全碳化硅（all-SiC）系统中配合Cree的Z-Rec®碳化硅肖特二极管一起使用，Cree Z-FET碳化硅（SiC）MOSFET可让设计工程师实现无与伦比的能效，同时可将尺寸和重量大幅减低，而这些在具有类似额定值的硅功率器件上根本无法实现。

与同类产品相比，这些MOSFET具有最低的开关损耗和明显更高的开关频率，因此可提供世界级的效率。这款革命性的产品还大大减小了磁性元件和滤波器元件的尺寸，并对冷却要求大幅降低。

Cree Z-FET碳化硅MOSFET的正温度系数允许安全简单地与较高功率系统的器件并联，同时在整个温度范围内R_DS(on) 的整体总增量仅为20%。这些MOSFET优化后适用于对能效有严格要求的高电压应用，比如高电压电源、辅助电源电路、3-10kW太阳能逆变器、工业电机驱动、高功率直流数字中心电源架构以及功率因数校正电路。