Infineon Technologies CY15B104Q 4Mbit串行SPI F-RAM
Cypress CY15B104Q 4Mbit串行SPI F-RAM是一款4Mbit非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM),逻辑组织方式为512K x 8。F-RAM是一种非易失性存储器,执行与RAM类似的读写操作,可提供151年的可靠数据保留时间。这款CY15B104Q解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。
特性
- 4Mbit铁电随机存取存储器 (F-RAM),逻辑组织方式为512Kx8
- 非常快速串行外设接口 (SPI)
- 复杂的写入保护方案
- 低功耗
- 低工作电压:2VDD - 3.6VDD
- 工业温度范围:-40℃至85℃
- 封装:8引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装、8引脚薄型双扁平无引线 (TDFN) 封装
- 符合有害物质限制 (RoHS) 指令
Development Tool
该板可将EXCELON™ F-RAM轻松快速地集成到任何开发套件中。
发布日期: 2016-07-19
| 更新日期: 2026-03-04