Diodes Incorporated AP22916负载开关
Diodes Incorporated AP22916负载开关是低漏电单P沟道功率MOSFET，设计用于低功耗和负载开关应用。这些开关具有宽输入电压范围、低导通电阻、高达2A连续电流能力、真正反向电流阻断 (TRCB) 以及0.5µA超低静态电流。AP22916负载开关在5V时的RDS(ON)典型值为60mΩ，因此可提高负载电流处理能力，具有低正向电压降。这些开关采用晶圆级芯片尺寸4引脚X1-WLB0808-4 0.78mm x 0.78mm x 0.455mm 0.4mm间距封装。典型应用包括移动设备和智能手机、便携式媒体设备、可穿戴设备、高级笔记本、UMPC/MID、便携式医疗设备、GPS和导航设备。
特性
- 高达2A连续电流能力
- 真反向电流阻断 (TRCB) 功能
- 禁用时VOUT上的放电电阻
- 超低静态电流：0.5µA
- 高电平有效控制引脚：
- 导通时VIH：1.0V（最小值）
- 封装：
- 采用背面层压的X1-WLB0808-4
- 0.78mm x 0.78mm 0.4mm球栅间距
- 完全无铅，完全符合RoHS指令
- 无卤、无锑
规范
- 宽输入电压范围：1.3V至5.5V
- 低导通电阻：
- 150mΩ（1.3V时典型值）
- 100mΩ（1.8V时典型值）
- 70mΩ（3.6V时典型值）
- 60mΩ（5.0V时典型值）
应用
- 移动设备和智能手机
- 便携式媒体设备
- 可穿戴设备
- 高级笔记本电脑
- 超移动PC (UMPC) 和MID
- 便携式医疗设备
- GPS和导航设备
框图
典型应用电路
发布日期: 2021-02-08
| 更新日期: 2022-03-11