Diodes Inc. AP74701Q控制器控制MOSFET的栅极,以调节20mV时的正向电压降。该调节方案可在反向电流事件期间立即关断MOSFET,确保直流反向电流为零。该器件具有小于0.75μs的快速反向电流阻断响应,适用于在ISO7637脉冲测试及断电/输入微短路情况下要求输出电压保持稳定的系统。AP74701Q内置VDS 钳位功能,使用户能够实现具有成本效益的“无TVS”输入极性保护解决方案。
AP74701Q控制器具有用于外部N沟道MOSFET的充电/电荷泵栅极驱动器。当使能引脚处于低电平时,控制器关断并消耗约1 μA电流。
特性
- 输入电压范围:3.2V至65V,启动电压为3.9V
- 反向电池电压:-33V
- 用于外部N通道功率MOSFET的电荷泵
- 20mV阳极至阴极正向电压降控制
- 禁用时关断电流低至1µA
- 使能时具有80µA的低静态电流
- 反向电流时钟响应时间:快速,<>
- 峰值栅极关断电流:2.3 A
- 高电平有效运行
- 集成电池电压监控开关 (SW)
- 8引脚SOT28封装
- ESD 保护
- 2 kV人体模型 (HBM)
- 750 V充电器件模型 (CDM)
- 满足汽车ISO7637瞬态要求,无需额外输入TVS二极管(TVS更少)
- 符合AEC-Q100标准,器件温度为1级(-40°C至+125°C环境工作温度范围)
- 无铅,符合RoHS指令
- 无卤、无锑的绿色器件
- 符合AEC-Q100标准并具有PPAP功能,在IATF 16949认证工厂中制造
应用
- 汽车信息娱乐系统
- 音响主机
- 远程信息处理系统
- 控制单元
- 汽车ADAS系统(摄像头)
- 有功功率O形环,用于冗余功率
- PLC等工业自动化的力量
- 企业电源
视频
典型应用电路
框图
其他资源
发布日期: 2025-03-17
| 更新日期: 2025-08-19

