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Diodes Incorporated DESD3V3Z1BCSF超低电容TVS二极管

Diodes Incorporated DESD3V3Z1BCSF双向TVS二极管是一款超紧凑型TVS器件，具有超低通道输入电容，适用于高速数据线ESD保护。DESD3V3Z1BCSF专门设计用于保护基于先进纳米工艺节点的混合信号SoC（片上系统）的高速I/O。

DESD3V3Z1BCSF具有超低输入电容，4.5V（典型值）钳位电压、3.3V（最大值）反向关态电压，可保护混合信号SoC并确保器件在安全范围内运行。DESD3V3Z1BCSF具有低至0.17pF的输入电容，在任何一对高速差分传输线上的插入损耗均可达到或超过USB 3.1/3.2和Thunderbolt™ 3的要求。另外，DESD3V3Z1BCSF可承受重复性静电放电破坏 (VESD)（±8kV空气放电和接触放电，符合IEC61000-4-2标准）。DESD3V3Z1BCSF符合IEC61000-4-5 (8/20μs) 标准，具有9V击穿电压、3A（最大值）峰值脉冲电流以及低钳位电压。

特性

  • 超低通道输入电容
    • 输入电容低至0.17pF
  • 低钳位电压和反向关态电压
    • 钳位电压 (VCL)：典型值为4.5V (IPP = 3A)
    • 反向关态电压 (VRWM)：3.3V（最大值）
  • 符合IEC61000-4-2和IEC61000-4-5标准
    • 1通道I/O保护，符合IEC61000-4-2 (ESD) 标准（高达±8kV空气放电和接触放电）
    • 符合IEC61000-4-5（8/20μs浪涌）标准，峰值脉冲电流 (IPP) 高达3A（最大值）
  • 超紧凑型X2-DSN0603-2封装
    • 占位面积小（典型值为0.6mm x 0.3mm）
    • 超低z高度（典型值为0.3mm）
  • 完全无铅，完全符合RoHS指令
  • 不含卤素和锑。“绿色”器件

应用

  • USB 3.1
  • Thunderbolt 3
  • 计算机与外设
  • 智能手机
  • AR/VR设备
  • 音频/视频设备
发布日期: 2018-05-08 | 更新日期: 2022-09-27