Diodes Incorporated DGD 半桥栅极驱动器

Diodes Incorporated DGD半桥栅极驱动器是能够以半桥配置驱动N通道MOSFET和IGBT的高压和高速栅极驱动器。在自举操作中,可以通过高压处理技术将高侧切换至偏移电压。DGD逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,可与控制器件轻松连接。Diodes Incorporated栅极驱动器非常适合用于直流-直流转换器、直流-交流逆变器、交流-直流电源、电机控制以及D类功率放大器。

特性

  • 在引导程序操作中浮动高侧驱动器达100V
  • 在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
  • 290mA拉电缆/600mA灌电流输出电流能力
  • 输出容许负电压瞬变
  • 430ns的内部死区时间,可保护MOSFET
  • 宽低侧栅极驱动器电源电压:10V至20V
  • 逻辑输入(HIN和LIN*)3.3V能力
  • VCC欠压闭锁(逻辑和低侧电源)
  • 施密特触发逻辑输入
  • 扩展温度范围:-40°C至+125°C
  • 完全无铅,完全符合RoHS指令
  • 不含卤素和锑

应用

  • 直流-直流转换器
  • 交流-直流逆变器
  • 交流-直流电源
  • 电机控制
  • D类功率放大器
发布日期: 2017-03-07 | 更新日期: 2022-03-11