特性
- 在引导程序操作中浮动高侧驱动器达100V
- 在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
- 290mA拉电缆/600mA灌电流输出电流能力
- 输出容许负电压瞬变
- 430ns的内部死区时间,可保护MOSFET
- 宽低侧栅极驱动器电源电压:10V至20V
- 逻辑输入(HIN和LIN*)3.3V能力
- VCC欠压闭锁(逻辑和低侧电源)
- 施密特触发逻辑输入
- 扩展温度范围:-40°C至+125°C
- 完全无铅,完全符合RoHS指令
- 不含卤素和锑
应用
- 直流-直流转换器
- 交流-直流逆变器
- 交流-直流电源
- 电机控制
- D类功率放大器
其他资源
发布日期: 2017-03-07
| 更新日期: 2022-03-11

