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Diodes Incorporated DGD0227低侧栅极驱动器

Diodes Incorporated DGD0227低侧栅极驱动器是双通道、高速、低侧MOSFET和IGBT驱动器。这些器件能够驱动4A的峰值电流，工作电源电压范围为4.5V至18V。Diodes Incorporated栅极驱动器逻辑输入兼容标准TTL和CMOS电平（低至3.3V），可轻松与MCU连接。快速且匹配良好的传播延迟支持高速操作，通过采用较小的相关元件，实现了更小、更紧凑的电源开关设计。DGD0227栅极驱动器采用SO-8（TH型）封装，工作温度范围为-40°C至125°C。

特性

  • 高效的低成本解决方案，用于驱动MOSFET和IGBT
  • 4.5V至18V工作电源电压范围
  • 输出电流能力：4.0A拉电流/4.0A灌电流
  • 35ns（典型值）的快速传播延迟
  • 20ns（典型值）的快速上升和下降时间
  • 3.3V逻辑输入 (IN) 功能
  • 温度范围：-40°C至125°C
  • 无铅，完全符合RoHS指令
  • 无卤、无锑

规范

  • SO-8（TH型）封装
  • 模制塑料、绿色模压复合外壳材料
  • UL可燃性等级：94V-0
  • 湿度灵敏性：符合J-STD-020标准第3级
  •  端子：
    • 雾锡含铅电镀
    • 可焊接，符合MIL-STD-202标准之方法208的要求
    • 方法208
  • 重量：约0.075g

应用

  • 直流-直流转换器
  • 线路驱动器
  • 电机控制
  • 开关模式电源

DGD0227典型配置

应用电路图 - Diodes Incorporated DGD0227低侧栅极驱动器

DGD0227功能框图

框图 - Diodes Incorporated DGD0227低侧栅极驱动器

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发布日期: 2019-01-15 | 更新日期: 2023-07-12