Diodes Incorporated DHVSD3004S1Q高压低漏电二极管

Diodes Incorporated DHVSD3004S1Q高压低漏电流二极管采用SOD123封装,在高温下具有极低的反向漏电流。DHVSD3004S1Q具有≤100nA的低漏电流、≤50ns的快速开关速度以及≥350V的高反向击穿电压。Diodes Inc DHVSD3004S1Q符合AEC-Q101标准,非常适合用于电池供电的便携式应用。

特性

  • ≤低漏电流:100nA
  • 快速开关速度:≤50ns
  • 高反向击穿电压:≥350V
  • 在高温下反向漏电流极低
  • SOD123封装
  • 完全无铅,完全符合RoHS指令
  • 无卤无锑,绿色器件
  • 适合用于需要特定变化控制的汽车应用;该部件符合AEC-Q101标准,支持PPAP,由IATF 16949认证的工厂制造。
性能图表 - Diodes Incorporated DHVSD3004S1Q高压低漏电二极管
发布日期: 2023-10-24 | 更新日期: 2023-10-30