Diodes Incorporated DMP21D0UFB 20V P沟道E-MOSFET

Diodes Incorporated DMP21D0UFB 20V P沟道E模式MOSFET非常适合用于电源管理应用。 设计用于最大限度地降低导通电阻(R_DS(ON))，并保持卓越的开关性能。该MOSFET具有低栅极阈值电压、快速开关速度以及3KV ESD保护 栅极。 DMP21D0UFB MOSFET采用模制塑料和绿色模压化合物外壳。 该器件的UL可燃性分类等级为94V-0，并达到J-STD-020D标准的MSL 1级。该MOSFET在铜引线框上设有NiPdAu端子，可焊接，符合MIL-STD-202标准之方法208的要求。