Diodes Incorporated DMP4006SPSWQ 40V P沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMP4006SPSWQ 40V P沟道增强模式MOSFET设计用于满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，并由PPAP提供支持。Diodes Incorporated DMP4006SPSWQ在生产过程中100%通过无钳位电感开关 (UIS) 测试，具有低导通电阻和快速开关速度。该器件具有可湿性侧翼，改进光学检查，采用无铅涂层，符合RoHS指令，是不含卤素和不含锑的“绿色”器件。典型应用包括反向极性保护、BLDC电机控制、电源管理功能和系统/负载开关。
特性
- 生产中100%经过无钳位电感开关 (UIS) 测试
- 低导通电阻
- 开关速度快
- 带可湿性侧翼，可提高光学检测能力
- 无铅涂层，符合RoHS指令
- 无卤素和不含锑的“绿色”器件
规范
- 外壳 - PowerDI®5060-8
- 外壳材料 - 模制塑料、“绿色”模压化合物
- UL可燃性等级：94V-0
- 湿度敏感度：J-STD-020标准第1级
- 端子涂层：在铜引线框上进行退火处理的锡雾。
- 可焊接，符合MIL-STD-202标准之方法208的要求
- 重量：0.097克（近似值）
应用
- 反极性保护
- BLDC电机控制
- 电源管理功能
- 系统/负载开关
内部示意图
发布日期: 2021-07-07
| 更新日期: 2022-03-11