Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMP68D1LV P沟道增强模式MOSFET具有低导通电阻和低输入电容，同时保持卓越的开关性能。此系列器件非常适合用于高效电源管理应用。Diodes Inc. DMP68D1LV MOSFET采用SOT563封装。
特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- ESD防护
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 绿色器件，不含卤素和锑
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用
应用
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能
规范
- SOT563 封装
- 封装材料：模制塑料，采用“绿色”模压化合物
- UL可燃性等级：94V-0
- 根据J-STD-020标准，潮湿敏感度等级为1
- 表面处理 – 铜哑光锡退火镀层
- 可焊接，符合 MIL-STD-202 标准之方法 208 的要求
- 重量：约0.006克
应用电路
发布日期: 2025-10-21
| 更新日期: 2025-11-07