Diodes Incorporated DMTH61M8LPS N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMTH61M8LPS N沟道增强模式MOSFET设计用于最大限度地降低导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能。特性包括高转换效率、低输入电容和快速开关速度。该N沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C。DMTH61M8LPS MOSFET非常适合用于高效电源管理应用，例如发动机管理系统、车身控制电子设备和直流-直流转换器。