Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated的DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET专为高效率电源开关应用而设计。DMTH64M2LPDW将两个MOSFET集成在单个PowerDI ® 5mm x 6mm封装中，具有紧凑的尺寸和出色的散热性能。每个通道都具有低导通电阻 [RDS(on)] 和大电流承载能力，非常适合用于DC-DC转换器中的同步整流、计算系统中的电源管理以及电池保护电路。这款Diodes Inc器件的最大漏源电压为60V，漏极连续电流高达90A，可确保快速开关性能和低导通损耗。坚固耐用的设计，结合低栅极电荷和高雪崩能量等级，使该器件能够在要求严苛的环境中可靠运行，适用于服务器主板、图形卡和便携式电子设备等应用。
特性
- 100%无钳位电感开关（UIS）生产测试，确保实现稳健可靠的终端应用
- 高热效率封装 - 应用运行温度更低
- 高转换效率
- 低RDS(ON) - 尽可能减少导通损耗
- 低输入电容
- 开关速度快
- 封装高度小于1.1mm - 适用于薄型应用
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 绿色器件，不含卤素和锑
应用
- 无线充电
- 直流-直流转换器
- 电源管理
规范
- 最大漏源电压：60V
- 最大栅源电压：±20V
- 最大脉冲漏极电流：360A
- 最大连续体二极管正向电流：90 A
- 最大脉冲体二极管正向电流：360A
- 最大雪崩电流：49A
- 最大雪崩能量：125mJ
- 总功耗范围：2.9W至74W
- 关态特性
- 最小漏源击穿电压：60V
- 最大零栅极电压漏极电流：1µA
- 最大栅源泄漏电流：±100nA
- 通态特性
- 栅极阈值电压范围：1.2V至2.2V
- 最大静态漏源导通电阻范围：5.0mΩ至7.8mΩ
- 最大二极管正向电压：1.2 V
- 热阻
- 结至环境：51°C/W
- 结至外壳：2.04°C/W
- 动态特性
- 输入电容：2963 pF（典型值）
- 典型输出电容：1070pF
- 典型反向传输电容：68pF
- 典型栅极电阻：0.97Ω
- 典型总栅极电荷范围：25nC至48nC
- 典型栅源电荷：8.5nC
- 典型栅漏电荷：7.2nC
- 典型接通延迟时间：5.2ns
- 典型接通上升时间：22ns
- 典型关闭延迟时间：55ns
- 典型关闭下降时间：38ns
- 反向恢复时间：56 ns（典型值）
- 典型反向恢复电荷：141nC
- 工作温度范围：-55 °C至+175 °C
- PowerDI5060-8/SWP（UXD型）封装
- UL 94V-0阻燃等级模制塑料，采用“绿色”模压化合物
- 端子采用哑光锡涂层并经退处理，覆于铜引线框架上，焊接性能符合MIL-STD-202标准第208方法。
发布日期: 2025-10-22
| 更新日期: 2025-10-31