Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N沟道SiC功率MOSFET
Diodes Inc. DMWS120H100SM4 1200V N沟道碳化硅(SiC)功率MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。它可以在工业电机驱动器、光伏能源系统、直流-直流转换器，以及数据中心和电信用电源中实现高密度与高效率。该器件由于具有低RDS(ON) 以及52nC 15V栅极驱动时的低Qg，因此系统设计人员能够最大限度地提高效率，同时确保最大限度地降低功耗。Diodes Inc. DMWS120H100SM4 TO247-4封装在连接到源极的第四条引线中包含一个额外的开尔文温度检测引脚，提供了优化开关性能的能力。
特性
- 低导通电阻
- 高BVDSS 额定值，适用于电源应用
- 低输入电容
- 无铅表面处理，符合RoHS指令
- 无卤、无锑的绿色器件
材料
- 封装类型为TO247-4
- 封装材料为模制塑料、绿色模压化合物
- UL 94 V-0可燃性分类等级
- 端子为雾锡涂层，在铜引线框上进行退火处理
- 重量（近似值）：6.6 g
应用
- 数据中心和电信电源
- 工业电机驱动器
- DC-DC转换器
- 太阳能逆变器
- EV电池充电器
视频
最大额定值
典型应用
发布日期: 2023-05-12
| 更新日期: 2024-10-08