Diodes Incorporated DZDH0401DW理想二极管控制器

Diodes Incorporated DZDH0401DW理想二极管控制器设计用于驱动P沟道增强型MOSFET，配置为理想二极管。该控制器可用作差分放大器和PMOS控制器，在V_IN > V_OUT 时可最大限度地降低正向电流损耗。DZDH0401DW控制器在V_IN < V_OUT 时可提供高隔离度。该控制器比较输入和输出之间的电压，如果差分大于~34mV（典型值），则VBIAS将下降，PMOS开启。如果差分小于~70mV，则电压偏置将上升，PMOS关闭，将输入与输出隔离。DZDH0401DW控制器具有40V最大输入电压、-300mA峰值偏置电流和50V最大反向电压保护，采用SOT363封装。典型应用包括高侧栅极驱动PMOS、高侧断开开关、电池放电保护、应急照明以及有源或冗余电源。