Diodes Incorporated ZXMS81045SP IntelliFET®高侧电源开关

Diodes Incorporated ZXMS81045SP IntelliFET®高侧电源开关在SO-8EP(E型)裸露散热片封装中集成了保护和诊断功能。ZXMS81045SP提供单片N沟道垂直功率MOSFET,具有集成式温度和电流传感器(带电荷泵栅极电源)。它在关断状态下具有低静态电流。该开关通过输入的高电平有效3.3V和5V逻辑电平驱动实现。

Diodes Inc ZXMS81045SP具有诊断电流检测输出(与负载电流成正比)以及定义的诊断故障信号(在过载、过热、短路或开路负载条件下)。

特性

  • 保护功能
    • 通过外部元件实现电池反向保护
    • 电压相关电流限制
    • 通过自动重启实现过热保护
    • 过压保护,包括负载突降
    • 稳定的欠压保护
    • ESD保护
    • 通过外部元件实现接地失效保护
    • 增强短路保护
  • 在过载、过热或短路情况下定义的故障信号
  • 诊断功能
    • 成正比的负载电流检测输出
      • 线性电压降调节,即使在非常低的负载电流下也能保持检测精度
      • 通过逻辑输入启用
      • 定义的温度和电流相关性
    • 开路负载检测
      • 在导通状态下使用负载电流检测
      • 在关断状态下使用输出电压检测

应用

  • 具有诊断反馈的高侧开关,用于:
    • 12V接地负载
    • 电阻、电感和电容负载
  • 适合用于高浪涌电流负载
    • 白炽灯 (P27W/P21W)、电机等
  • 紧凑型低功耗替代产品,用于:
    • 继电器、保险丝和分立电路

规范

  • 工作电压:5V至28V
  • 最大电源电压:41V
  • 最大导通电阻:90mΩ (TJ=+150°C)
  • 标称负载电流:4A
  • 电流检测比:1200(典型值)
  • 最小电流限制:25A
  • 最大待机电流:0.5µA (TJ=+25°C)

典型应用电路

应用电路图 - Diodes Incorporated ZXMS81045SP IntelliFET®高侧电源开关

功能框图

框图 - Diodes Incorporated ZXMS81045SP IntelliFET®高侧电源开关
发布日期: 2023-03-29 | 更新日期: 2023-03-31