Diodes Incorporated API21550Q隔离式半桥栅极驱动器
Diodes Inc. API21550Q隔离式高侧/低侧半桥栅极驱动器是一款栅极驱动器，具有高达4A/6A峰值拉电流/灌电流驱动能力。根据工作条件，API21550Q可提供5V、8V和12V VDD UVLO选项，用于驱动GaN、MOSFET和IGBT/SIC设备。
API21550Q的最大电源电压为25V以用于VDD，输入范围为3V至5.5V。API21550Q旨在将输入信号转换为输出驱动信号，具有短传播延迟和最小脉冲宽度失真。它还具有可编程死区时间穿透保护功能，外部禁用功能可增强应用灵活性。集成14ns去抖动滤波器可有效使驱动器免受噪声干扰。
Diodes Inc. API21550Q在SO-16W（CJ型）封装中提供5700VRMS的增强隔离。所有型号均可实现至少125V/ns的共模瞬态免疫性（CMTI）。
特性
- 隔离式H/L半桥栅极驱动器
- 3V至5.5V输入侧电源电压VCC
- 最大4A峰值拉电流和6A峰值灌电流输出
- 共模瞬态抗扰度（CMTI）大于125V/ns
- 最高可达25V VDD输出驱动电源
- 5V、8V、12V VDD UVLO选项
- 开关参数
- 40 ns典型传播延迟
- 8 ns最大延迟匹配
- 7 ns最大脉宽失真
- VDD上电延迟最大值：10μs
- 隔离栅寿命> 40年
- 直通保护和可编程死区时间
- 14ns集成去干扰滤波器
- 主动下拉功能
- 安全相关认证
- 8000VPK SO-16W（CJ型）符合DIN EN IEC 60747-17（VDE 0884-17）标准
- 5700VRMS SO-16W（CJ型）符合UL 1577标准，持续1分钟
- 通过GB4943.1 CQC认证
- 下列性能符合AEC-Q100标准：
- 器件温度等级为1级
- 4 kV HBM ESD
- 1.5 kV CDM ESD
- 采用SO-16W（CJ型）封装
- -40°C至+125°C工作温度范围
- 无铅，符合RoHS指令
- 无卤素和无锑，绿色器件
- 通过AEC-Q100认证，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂制造
应用
- 混动汽车和电动汽车车载充电器
- 汽车电机驱动器
- 混合动力汽车和电动汽车逆变器控制
- 汽车隔离式直流-直流转换器
功能框图
开发工具
Diodes Incorporated API2155X-EVB1 评估板
专为评估封装为SO-14W/SO-16W的双通道栅极驱动器系列而设计。
发布日期: 2026-04-22
| 更新日期: 2026-05-21