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Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管

Diodes Inc. BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管采用紧凑型DFN2020-3封装，其占位面积比SOT-23封装小50%。这款设备具有-80V的集电极-发射极电压 (VCEO) 和-1A的集电极连续电流 (IC) 额定值。Diodes Inc. BC53-16PAWQ具有低饱和电压 (VCE(sat))，在0.5A时小于500mV，采用薄型（高度为0.62mm）封装，适于薄型应用。

特性

  • 集电极-发射极击穿电压（基极开路，BVCEO）：>-80V
  • 高集电极连续电流 (IC)：-1A
  • 峰值脉冲集电极电流 (ICM)：-2A
  • 低饱和电压 (VCE(sat))：<>
  • 耗散功率 (PD)：0.5W
  • 晶体管电流增益 (hFE)：100A（最小值）
  • 薄型封装，典型高度为0.62 mm，适用于超薄型应用
  • 镀锡侧壁可用于AOI中的可湿侧面
  • 占位面积为4mm2，比SOT-23小50%
  • 互补NPN型号为 BC56-16PAWQ
  • 无铅，符合RoHS标准
  • 绿色器件，不含卤素和锑
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用；通过AEC-Q101认证，支持PPAP流程，在IATF16949认证的工厂中制造

规范

  • W-DFN2020-3 封装
  • 标称封装高度：0.6 mm
  • 封装材料：模压塑料
  • 绿色模塑化合物
  • 可燃性等级：UL 94V-0
  • 根据J-STD-020标准，潮湿敏感度等级（MSL）为1
  • 根据JEDEC J-STD-020标准，焊接温度最高可达+260°C，持续30s
  • 端子采用亚光锡镀层，焊接性能符合MIL-STD-202标准方法208的规定
  • 重量约为0.01克

包装外形

图表 - Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管
发布日期: 2025-09-22 | 更新日期: 2025-10-07