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Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET

Diodes Inc. DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET设计用于将导通电阻[RDS(ON)]降至最低，同时保持卓越的开关性能。这些MOSFET的汲极/源极击穿电压 (BVDSS) 为25V。Q1的静态汲极/源极导通电阻[RDS(ON)]在VGS = 10V时为6mΩ，VGS = 4.5V时为7.5mΩ；而Q2在VGS = 10V时为2.0mΩ，VGS = 4.5V为3.1mΩ。Q1的漏极连续电流 (ID) 额定值在VGS = 10V时为11.6A，VGS = 4.5V时为10.4A；而Q2在VGS = 10V时为20.1A，VGS = 4.5V时为16.1A。这些参数使得Diodes Inc. DMT26M0LDG器件非常适合高效的电源管理应用。

特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 无铅表面处理，符合RoHS标准
  • 绿色器件，不含卤素和锑

规范

  • PowerDI® 3333-8封装
  • 模压塑料封装材料，采用绿色模塑复合物，可燃性分类等级为UL 94V-0
  • 根据J-STD-020标准，潮湿敏感度等级（MSL）为1
  • 端子采用铜引线框，表面为哑光锡退火处理，焊接性能符合MIL-STD-202标准第208方法的要求
  • 重量约为0.072克

电路图

原理图 - Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET

包装外形

图表 - Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
发布日期: 2025-09-23 | 更新日期: 2025-10-08