STMicroelectronics EVLSTGAP3S3S半桥评估板
STMicroelectronics EVLSTGAP3S3S半桥评估板用于评估STGAP3S3S隔离式单通道栅极驱动器。STGAP3S3S具备3A电流能力、轨至轨输出，以及针对SiC MOSFET优化的UVLO和DESAT保护阈值。这些特性使其成为工业应用中大功率电机驱动器的理想选择。该栅极驱动器集成内部米勒钳位和单输出引脚，能够更好地抑制半桥拓扑结构在快速换向过程中产生的正负向栅极尖峰。
该评估板通过5V VAUX连接供电，为低侧和高侧驱动部分的隔离式直流-直流转换器供电。当使用5V MCU时，AUX直接为栅极驱动器供电。使用3.3V MCU时，系统则使用板载的线性稳压器。其PWM和复位输入通过专用连接器控制，同时板载LED用于显示诊断输出。
推荐的板载网络可连接器件保护功能（去饱和保护、软关断和米勒钳位），方便用户在板测试点上对其进行评估。双输入引脚可实现硬件互锁保护和信号极性选择，防止控制器发生故障时出现交叉导通。该器件支持负压栅极驱动，板载隔离式直流-直流转换器能够提供优化的SiC MOSFET驱动电压。
STMicroelectronics EVLSTGAP3S3S评估板可在高达1200V的总线电压下评估STGAP3S3S的所有功能。
特性
- STGAP3S3S器件
- 驱动电流能力：3A拉/灌电流（25°C时）
- 输入-输出传播延迟：75ns
- 内部米勒钳位
- UVLO功能
- 去饱和保护
- 可调软关断
- 栅极驱动电压：高达32V
- 负栅极驱动电压
- 3.3V、5V TTL/CMOS输入，带迟滞
- 温度关断保护
- 加固电容隔离
- 隔离电压VISO = 5.7kVRMS（符合UL 1577标准）
- 瞬态过压VIOTM = 8kVPEAK（符合IEC 60747-17标准）
- 最大重复隔离电压VIORM = 1.2kVPEAK（符合IEC 60747-17标准）
- 电路板
- 半桥配置
- 高压轨电压：高达1200V（受限于SiC MOSFET和电容额定值）
- SiC MOSFET：1200V 12A SCT10N120AG
- 兼容5V和3.3V MCU
- VDD逻辑电源：由板载生成的3.3V或VAUX = 5V提供
- 板载隔离式直流-直流转换器，用于为高侧和低侧栅极驱动器供电，由VAUX = 5V供电，最大隔离能力为5.4kVpk
- 驱动电压配置（通过跳线轻松选择）：+15V/0V；+15V/-4.7V；+12V/0V；+12V/-4.7V
- 故障 LED 指示器
- 隔离两端最大工作电压：1200V
- 符合RoHS标准
应用
- 适用于家用电器、工厂自动化、工业驱动及风扇的电机驱动器
- 600V/1200V逆变器
- 电池充电器
- 感应加热
- 焊接
- 不间断电源(UPS)
- 电源单元
- 直流-直流转换器
- 功率因数校正
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发布日期: 2026-06-02
| 更新日期: 2026-06-11