返回GSI Technology
GSI Technology SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAM

GSI Technology SyncBurst SRAM为一系列同步突发 (SyncBurst™) SRAM，时钟速率高且功耗低。SyncBurst SRAM能在一个时钟信号内突发传送2到4个字的数据。其简化接口设计为采用数据总线的最大带宽，适用于军事、网络、工业、汽车和医疗影像等需要中等运行性能的应用场合。

特性
  • 密度：288Mb、144Mb、72Mb、36Mb、18Mb、9Mb、4Mb
  • 可配置为x18、x32、x36、x72
  • 时钟频率 (MHz)：最高400
  • 存取时间 (ns)：低至4

  • 电压：1.8、2.5、3.3
  • 封装：119BGA、209BGA、100TQFP、165BGA
  • 符合6/6 ROHS标准：不是所有产品都符合此标准
  • 工作温度：消费级、工业级和军工级温度
eNews
  • GSI Technology
发布日期: 2016-11-09 | 更新日期: 2022-03-11