Infineon Technologies Excelon™铁电RAM (F-RAM)

Cypress Semiconductor Excelon™铁电RAM (F-RAM) 是下一代F-RAM，设有低功耗、任务关键型非易失性存储器。Excelon系列将超低功耗运行与高速接口、即时非易失性和无限读/写周期耐久性相结合。这使得Excelon成为便携式医疗、可穿戴、物联网传感器、工业和汽车应用的理想数据记录存储器。有三个不同Excelon系列可供选择：Excelon-LP、Excelon-Ultra和Excelon-Auto。

特性

Excelon F-RAM特性
- 典型待机电流和休眠电流分别为1μA和0.1μA，仅为当前F-RAM的1/150
- 与竞争性产品SPI F-RAM相比，由于添加了108MHz QSPI，因此性能提升了10倍以上
- 具有NoDelay™写入功能，可在无需吸入时间的情况下立即捕获数据，且无需任何额外元件即可进行电源备份
- 2Mbit、4Mbit和8Mbit密度选项
- 工作电压范围：1.71V至1.89V和1.80V至3.60V
- 商用（0°C至+70°C）、工业（-40°C至+85°C）、汽车A（-40°C至+85°C）和汽车E（-40°C至+125°C）温度等级
面向工业自动化系统的Excelon-Ultra™
- 提供多种省电模式，包括休眠、深度断电和待机
- 能耗分别为EEPROM和NOR闪存产品的1/200和1/3000
- 读/写耐久性为1,000万亿写入周期，可实现每毫秒记录一次数据，数据保留时间超过3,000年
- 推出8Mbit密度F-RAM，这是最高密度的串行F-RAM，可满足这些应用中不断增长的数据记录要求
- 采用小占位（约为10mm²）、8引脚GQFN封装
- 应用示例：可满足PLC的严苛数据记录需求的理想存储器
面向自动辅助驾驶系统的Excelon-Auto™
- 在没有吸入时间要求的情况下立即捕获数据，无需其他备份元件
- 支持1,000万亿写入周期的耐久性，可实现每μs记录一次数据，数据保留时间为20年
- 提供符合AEC-Q100标准以及功能安全标准的存储器元件
- 示例应用：在ADAS Vision Systems中实现即时可靠的数据捕获
面向便携式医疗、可穿戴设备和物联网设备应用的Excelon-LP™（即将推出）
- 提供多种省电模式，包括休眠、深度断电和待机
- 能耗分别为EEPROM和NOR闪存产品的1/200和1/3000
- 读/写耐久性为1,000万亿写入周期，可实现每毫秒记录一次数据，数据保留时间超过3,000年
- 推出8Mbit密度F-RAM，这是最高密度的串行F-RAM，可满足这些应用中不断增长的数据记录要求
- 采用小占位（约为10mm²）、8引脚GQFN封装
- 应用示例：针对便携式医疗应用提供更长的电池寿命、高可靠性和小巧外形