Infineon Technologies MoBL™超可靠异步SRAM

Infineon Technologies MOBL™ 超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。这些静态随机存取存储器可采用片上ECC。这些设备在外形、适用性和功能上与上一代异步静态随机存取存储器兼容。这样，用户即可提高系统可靠性，无需对PCB重新设计进行投资。这是第一个将快速异步SRAM访问时间与独特的超低功耗睡眠模式(PowerSnooze™) 相结合的器件系列。这些英飞凌快速SRAM消除了异步SRAM应用中的性能和功耗之间的平衡。通过被称为PowerSnooze的全新超低功耗休眠模式，可让现有产品系列实现最佳特性。PowerSnooze是标准异步SRAM工作模式（有源、待机和数据保持）的另一个工作模式。深度睡眠引脚(DS #)支持器件在高性能有源模式和超低功耗PowerSnooze模式之间切换。4Mb器件的深度睡眠电流低至15 μA，带PowerSnooze的快速SRAM在单个器件中集成了快速和微功耗SRAM的最佳特性。