Infineon Technologies Cypress FL-L NOR闪存系列
Cypress FL-L NOR闪存系列采用65nm工艺光刻和浮栅技术。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。FL-L系列支持传统的SPI单位（单I/O或SIO）以及可选的2位（双I/O或DIO）。此外，它还支持4位宽四I/O (QIO) 和四外设接口 (QPI) 命令。
FL-L系列采用双数据速率 (DDR) 读取命令，用于传送地址和在时钟两边读取数据的QIO和QPI。该架构采用页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程达256字节。该架构也提供单独4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除。FL-L NOR闪存具有各种移动或嵌入式应用所使用的高密度、灵活性和快速性能。
该闪存可为有限空间、信号连接和电源系统提供出色的存储解决方案。此外，该闪存非常适合用于RAM的代码遮蔽、直接执行代码 (XIP) 和存储可重新编程数据。
特性
- 多I/O串行外设接口 (SPI)
- 时钟极性和相位模式0和3
- 双倍数据速率(DDR)选项
- 四外设接口(QPI)选项
- 扩展寻址：24位或32位地址选项
- 与S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的串行命令子集和足迹
- 与S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的多I/O命令子集和足迹
- 读取
- 命令：正常、快速、双I/O、四I/O、双O、四O、DDR四I/O
- 模式：突发回环、连续(XIP)、QPI
- 串行闪存可发现参数(SFDP)，用于配置信息
- 程序架构
- 256字节页编程缓冲器3.0V FL-L 闪存
- 程序暂停和恢复
- 擦除架构
- 统一4KB扇区擦除
- 统一32KB半块擦除
- 统一64KB块擦除
- 芯片擦除
- 擦除暂停和恢复
- 100,000次程序擦除周期
- 数据保留20年
- 典型技术
- 65nm浮栅技术
- 安全特性
- 状态和配置寄存器保护
- 四个256字节安全区域，均位于主闪存阵列外部
- 传统块保护：块范围
- 单个和区域保护
- 单个块锁定：易失性单个扇区/块
- 指针区域：非易失性扇区/块范围
- 电源锁定、密码或永久保护安全区域2和3以及指针区域
- 单电源电压，带CMOS I/O
- 2.7V至3.6V
- 温度范围
- 工业型（-40°C至+85°C）
- 工业增强型（-40°C至+105°C）
- 扩展型（-40°C至+125°C）
- 符合汽车AEC-Q100标准3级（-40°C至+85°C）
- 符合汽车AEC-Q100标准2级（-40°C至+105°C）
- 符合汽车AEC-Q100标准1级（-40°C至+125°C）
- 封装（全无铅）
- 8引脚SOIC 208 MIL (SOC008) — 仅S25FL128L
- WSON 5 x 6mm (WND008) — 仅S25FL128L
- WSON 6 x 8mm (WNG008) — 仅S25FL256L
- 16引脚SOIC 300 mil (SO3016) — 仅S25FL256L
- BGA-24 6 x 8mm
- 5x5球(FAB024)占位
- 4x6焊球 (FAC024) 占位
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发布日期: 2017-01-26
| 更新日期: 2024-04-11