Infineon Technologies S27KS064x和S27KL064x HYPERRAM™ 2.0存储器
英飞凌科技S27KS064x和S27KL064x HYPERRAM™ 2.0内存是高速、低引脚数DRAM，适用于需要扩展存储器的高性能嵌入式系统。这些器件设有HYPERBUS™ 和八路SPI接口，可利用并行和串行接口存储器的传统特性。这些动态随机存取存储器的工作电压范围为1.8V至3V，并提供高达400MBps的吞吐量带宽。这使得HYPERRAM™ 2.0成为板载RAM有限的控制器的理想扩展存储器。HYPERRAM™ 2.0用作暂存存储器时，支持读写操作，从而快速生成高分辨率的图形。典型应用包括汽车仪表板、工业人机界面(HMI)、工业机器视觉和消费类电子产品的显示系统。
英飞凌科技S27KS064x和S27KL064x HYPERRAM™ 2.0采用增强型球栅阵列 (BGA) 封装。
特性
- 技术：38nm DRAM
- HYPERBUS接口
- 接口支持：8V至3.0V
- 单端时钟 (CK)-11个总线信号
- 可选差分时钟（CK、CK#）- 12个总线信号
- 芯片选择 (CS#)
- 8位数据总线 (DQ[7:0])
- 硬件复位 (RESET#)
- 双向读写数据选通(RWDS)
- 在所有事务开始时输出以指示刷新延迟
- 在读取事务期间输出以作为读取数据选通
- 在写入事务期间输出以作为写入数据掩码
- 可选DDR中心对齐读取选通 (DMOS)
- 在读取操作中，RWDS会由第二个时钟进行偏移，该时钟与CK存在相位差。
- 相移时钟用于将RWDS的转换边沿移至读数据窗口内。
- 时钟速率：200MHz（最大值）
- DDR - 传输时钟两边的数据
- 数据吞吐量高达400MBps (3200Mbps)
- 可配置突发特性、线性突发
- 包装突发长度
- 16字节（8个时钟）
- 32字节（16个时钟）
- 64字节（32个时钟）
- 128字节（64个时钟）
- 混合选项 - 一个包装突发，后接线性突发
- 可配置输出驱动强度
- 电源模式
- 混合睡眠模式
- 深度省电
- 阵列刷新
- 部分内存阵列(1/8、1/4、1/2)
- 全
- 工作温度范围
- 工业 (I) ：-40 °C至+85 °C
- 工业级+温度 (V)：-40°C至+105°C
- 符合汽车AEC-Q100标准3级：–40°C至+85°C
- 符合汽车AEC-Q100标准2级：-40°C至+105°C
- 6.0mm x 8.0mm x 1.0mm FBGA 24封装
应用
- 汽车仪器组
- 消费类电子产品的显示系统
- 消费类和工业HMI
- 工业机器视觉
视频
逻辑框图
相关产品
Infineon Technologies S80KS2562和S80KS2563 256Mb HYPERRAM™ 2.0存储器
设有HyperBUS或八通道xSPI接口的高速、低引脚数、低功耗自刷新动态随机存取存储器。
发布日期: 2020-02-24
| 更新日期: 2024-09-27