Infineon Technologies S70KL1282和S70KL1283接口HyperRAM
英飞凌科技 S70KL1282和S70KL1283接口HyperRAM是高速CMOS、自刷新DRAM，具有HYPERBUS™接口。DRAM阵列采用需要定期刷新的动态单元。当HYPERBUS接口主机（主机）未主动读取或写入存储器时，器件内的刷新控制逻辑可管理DRAM阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，因此主机认为DRAM阵列使用静态单元即可保留数据而无需刷新。该内存更准确地描述为伪静态RAM (PSRAM)。
特性
- 接口
- HYPERBUS接口
- 1.8V/3.0V接口支持
- 单端时钟 (CK)-11个总线信号
- 可选差分时钟（CK、CK#） - 12个总线信号
- 芯片选择 (CS#)
- 8位数据总线 (DQ[7:0])
- 硬件复位 (RESET#)
- 双向读写数据选通 (RWDS)
- 在所有事务开始时输出以指示刷新延迟
- 在读取事务期间输出以作为读取数据选通
- 在写入事务期间输出以作为写入数据掩码
- 可选DDR中心对齐读取选通 (DCARS)
- 在读取事务中，RWDS由第二个时钟（从CK移相）抵消
- 相移时钟用于在读取数据眼内移动RWDS转换沿
- 性能、功率和封装
-
- 时钟速率：200MHz（最大值）
- DDR - 传输时钟两边的数据
- 数据吞吐量：高达400Mbps (3200Mbps)
- 可配置突发特性
- 线性突发
- 包装突发长度
- 16字节（8个时钟）
- 32字节（16个时钟）
- 64字节（32个时钟）
- 128字节（64个时钟）
- 混合选项 - 一个包装突发，后接64Mb线性突发。不支持跨裸片边界线性突发。
- 可配置输出驱动强度
- 电源模式
- 混合睡眠模式
- 深度省电
- 阵列刷新
- 部分内存阵列（1/8、1/4、1/2等）
- 全
- 封装
- 24焊球FBGA
-
- 工业级 (I)：–40°C至+85°C
- 工业+级 (V)：–40°C至+105°C
- 工作温度范围：AEC-Q100标准汽车3级，–40°C至+85°C
- 符合汽车AEC-Q100标准2级（-40°C至+105°C）
- 可配置突发特性
-
框图
发布日期: 2021-05-11
| 更新日期: 2023-09-04