Infineon Technologies S80KS2562和S80KS2563 256Mb HYPERRAM™ 2.0存储器
Infineon TechnologiesS80KS2562和S80KS2563 HYPERRAM™ 2.0存储器是高速、低引脚数、低功耗自刷新动态随机存取存储器(DRAM)，S80KS2562设有HyperBUS接口，S80KS2563设有八通道xSPI接口。 两款器件均具有200MHz的最大时钟速率、高达400MBps的数据吞吐量，以及节能混合睡眠和深度节能模式。 S80KS2562和S80KS2563 HYPERRAM非常适合用于需要扩展存储器用于暂存器或缓冲的高性能嵌入式系统。
HyperBus和八通道xSPI接口由HYPERRAM产品提供支持，利用并行和串行接口存储器的传统特性，同时提高系统性能，简化设计，降低系统成本。
低引脚数架构使HYPERRAM特别适用于需要片外外部随机存取存储器的电源和电路板空间受限的应用。
Infineon Technologies S80KS2562和S80KS2563 256Mb HYPERRAM存储器采用24焊球小间距球栅阵列(FBGA)封装。
特性
- 技术：25nm动态随机存取存储器
- 接口
- S80KS2562：HyperBUS™接口
- S80KS2563：xSPI（八通道）接口
- 1.8V接口支持
- 单端时钟(CK)具有11个总线信号
- 可选差分时钟(CK, CK#)具有12个总线信号
- 芯片选择(CS#)
- 8位数据总线(DQ[7:0])
- 硬件复位(RESET#)
- 双向读写数据选通(RWDS)
- 在所有事务开始时输出以指示刷新延迟
- 在读取事务期间输出以作为读取数据选通
- 在写入事务期间输入以作为数据掩码
- 阵列刷新
- 局部存储器阵列
- 全
- 电源
- 突发读/写电流消耗：22mA/25mA
- 混合睡眠模式
- 深度掉电模式
- 性能
- 200MHz最大时钟速率
- 35ns最大存取时间
- DDR - 传输时钟两边的数据
- 数据吞吐量高达400MBps (3200Mbps)
- 可配置突发特性
- 线性突发
- 包装突发长度
- 16字节（8个时钟）
- 32字节（16个时钟）
- 64字节（32个时钟）
- 128字节（64个时钟）
- 混合选项 - 一个包装突发，后接线性突发
- 可配置输出驱动强度
- 封装
- 6.0mm x 8.0mm FBGA-24封装，1.0mm脚距
应用
- 汽车仪表板、信息娱乐系统以及远程信息处理系统
- 工业和消费类HMI显示器面板
- 工业机器视觉
- 消费类可穿戴设备
- 通信模块
视频
逻辑框图
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