Infineon Technologies 650V汽车用E模式Gan晶体管

英飞凌科技 650 V汽车用电子模式Gan晶体管可实现大电流、击穿电压和开关频率。英飞凌科技晶体管凭借获得专利的Island Technology® 和GaNPX® 封装实现了创新。Island Technology单元布局实现了大电流裸片和高良率。GaNPX封装采用小型封装,可实现低电感和低热阻。GS-065-060-5-T-A晶体管采用顶部冷却,具有低结-外壳热阻,适用于要求苛刻的大功率应用。这些特性结合在一起,可提供高效电源开关。 GS-065-060-5-B-A是一款底面冷却晶体管,具有低结-外壳热阻,适用于要求苛刻的大功率应用。

特性

  • AEC-Q101和AutoQualTM+™(增强型AEC-Q101)
  • 650V增强模式功率晶体管
  • 顶部和底面冷却、低电感GaNPX封装
  • RDS (on) = 25mΩ
  • IDS (最大值) =60A
  • 超低FOM
  • 简单的栅极驱动要求(0V至6V)
  • 瞬态容限栅极驱动 (-20/+10V)
  • 高开关频率 (>10MHz)
  • 快速、可控的下降时间和上升时间
  • 反向导通能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小型11mm2 x 9mm2 PCB占位
  • 双栅极焊盘,可实现最佳电路板布局
  • 符合RoHS 3 (6 + 4)标准

应用

  • 车载充电器
  • 牵引驱动
  • DC-DC转换器
  • 工业电机驱动器
  • 太阳能逆变器
  • 无桥图腾柱PFC
发布日期: 2023-03-06 | 更新日期: 2024-08-22