Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V汽车级MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 150V汽车级MOSFET采用稳健设计,且经过增强型电气测试。该N沟道MOSFET符合AEC-Q101汽车应用标准,可提供175A或245A的漏极连续电流。

英飞凌OptiMOS 6 150V汽车级MOSFET支持MSL1级别,可承受最高260°C的峰值回流温度,工作温度可达175°C。

特性

  • 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
  • N沟道 - 增强模式 - 正常电平
  • 超越AEC-Q101标准的扩展认证
  • 支持PPAP
  • 增强电气测试
  • 设计坚固耐用
  • MSL1,峰值回流温度高达260 °C
  • 175 °C 工作温度
  • 符合RoHS标准
  • 100%经雪崩测试

规范

  • 汲极/源极击穿电压:150V
  • 漏极-源极导通电阻
    • 2.5mΩ(IAUTN15S6N025A、IAUTN15S6N025T、IAUTN15S6N025G)
    • 3.8mΩ(IAUTN15S6N038A、IAUTN15S6N038T、IAUTN15S6N038G)
  • 连续漏极电流
    • 245A(IAUTN15S6N025A、IAUTN15S6N025T、IAUTN15S6N025G)
    • 175A(IAUTN15S6N038A、IAUTN15S6N038T、IAUTN15S6N038G)

封装类型

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V汽车级MOSFET
发布日期: 2025-07-15 | 更新日期: 2025-07-22