Infineon Technologies AIKQ120N75CP2 Duo Pack EDT2™ IGBT
英飞凌科技 AIKQ120N75CP2 Duo Pack EDT2™ IGBT具有750V集电极-发射极阻断电压能力。AIKQ120N75CP2具有平滑的开关特性、极低VCE(sat)、1.30V (典型值)以及非常紧密的参数分布。该器件还具有低栅极电荷QG,封装中集成有由3个二极管控制的快速软恢复发射器。
特性
- 750V集电极-发射极阻断电压能力
- 顺畅开关特性
- 极低VCE(sat), 1.30 V(典型值)
- 可靠的短路保护
- 非常紧凑的参数分布
- 低栅极电荷QG
- 封装中集成有由3个二极管控制的快速软恢复发射器
- 符合AEC-Q101标准
- 提高应用中的过压裕度
- 减少需要并联器件的数量
- 简单的栅极驱动设计
- 短路条件下的自限制电流
- 低电磁干扰
- 可靠性高和寿命长
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采用TO247PLUS封装,设计用于主逆变器系统。
发布日期: 2022-02-17
| 更新日期: 2022-03-11