Infineon BFPx4射频晶体管

Infineon BFP840异质结双极晶体管专门设计用于5GHz至6GHz Wi-Fi应用，它们基于Infineon可靠的高容量SiGe:C技术。这些器件在5GHz至6GHz频段内具有固有良好的输入和输出功率匹配以及固有良好的噪声匹配。该器件同时具有噪声和功率匹配，且在输入端不存在有损耗的外部匹配元件，因此可在Wi-Fi应用中实现较低的外部部件数量、极为出色的噪声系数以及极高的换能器增益。该器件在输入和输出端集成有保护元件，因此具有ESD和过度的射频输入功率抑制能力。这些器件在低电流和低电压下具有高性能，非常适合用于要求具有高能源效率的便携式电池供电应用。

BFR840L3RHESD数据手册
BFP840ESD数据手册
BFP840FESD数据手册

Infineon BFP842ESD异质结双极晶体管是一款高性能HBT（异质结双极晶体管），专门设计用于2.3GHz至3.5GHz LNA应用。该器件基于Infineon可靠的高容量SiGe:C技术。BFP842ESD在2.3GHz至3.5GHz频段内具有固有良好的输入功率匹配以及固有良好的噪声匹配。该器件同时具有噪声和功率匹配，且在输入端不存在有损耗的外部匹配元件，因此可在应用中实现较低的外部部件数量、极为出色的噪声系数以及较高的换能器增益。该器件在输入和输出端集成有保护元件，因此具有ESD和过度的射频输入功率抑制能力。该器件在低电流和低电压下具有高性能，非常适合用于要求具有高能源效率的便携式电池供电应用。该器件采用简单易用的行业标准封装（带可见引线）。

BFP842ESD数据手册

• 稳健的极低噪声放大器，基于Infineon可靠的高容量SiGe:C技术
• 独特地结合了高端射频性能和稳健性：16dBm最大射频输入功率、1kV HBM ESD抑制能力
• 高线性度：OIP3 = 25.5dBm（在3.5GHz、2.5V、15mA时）
• 高转换频率 (ft = 60GHz) 实现了高频率下的极低噪声系数：NFmin = 0.65dB（在3.5GHz、2.5V、5mA时）
• 换能器增益：|S21|2 = 16dB（在3.5GHz、2.5V、15mA时）
• 非常适合用于 非常适合用于VCC = 1.8V和2.85V等低电压应用（3.3V、3.6V需要相应的集电极电阻器）
• 功耗低，非常适合用于移动应用
• 采用简单易用的行业标准封装（带可见引线），不含铅（符合RoHS指令）和卤素
• 可提供符合AEC-Q101标准的质量鉴定报告

• 面向以下应用的极低噪声放大器 (LNA)：
  • 移动和固定连接应用：WLAN 802.11b/g/n、WiMAX 2.5/3.5GHz、蓝牙
  • 卫星通信系统：GNSS导航系统（GPS、GLONASS、COMPASS/Beidu/Galileo）卫星广播（SDAR、DAB和C频段LNB）以及C频段LNB（第1级和第2级LNA）
  • 移动/便携式电视、移动电视、调频广播等多媒体应用 3G/4G UMTS/LTE手机应用
  • RKE、AMR和ZigBee等ISM应用
  • 用作分立有源混频器、VCO缓冲放大器
   

Infineon BFP640FESD宽带射频晶体管是一款硅锗:碳化物 (SiGe:C) NPN异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，采用小且薄的塑料扁平4引脚双发射极封装（带可见引线）。该器件配有内部保护电路，因此显著提高了ESD和高射频输入功率抑制能力。该器件将具有极高射频增益的稳健性与低工作电流下的极低噪声系数相结合，适用于各种无线应用。BFP640FESD非常适合用于必须要求实现低功耗的便携式电池供电应用。器件设计支持高达4.1V的集电极电压。

BFP640ESD数据手册

• 稳健的高性能低噪声放大器，基于Infineon可靠的高容量SiGe:C晶圆技术
• 集成有保护电路，可实现2kV ESD抑制能力 (HBM)
• 较高的最大射频输入功率：21dBm
• 电流为6mA时，在1.5GHz和2.4GHz下的最低噪声系数（典型值）分别为0.6dB和0.65dB
• 电流为30mA时，在1.5GHz和2.4GHz下的最大增益Gms（典型值）分别为28.5dB和25dB
• 在2.4GHz、30mA时具有26dBm（典型值）的OIP3
• 采用小且薄、无铅、无卤素（符合RoHS指令）的扁平封装，带可见引线

• 面向以下应用的低噪声放大器 (LNA)：
  • 移动、便携式和固定连接应用：WLAN 802.11a/b/g/n、WiMax 2.5/3.5/5GHz、UWB、蓝牙
  • 卫星通信系统：导航系统（GPS、Glonass）、卫星广播（SDAR、DAB）和C频段LNB
  • 移动/便携式电视、有线电视、调频广播等多媒体应用
  • 3G/4G UMTS/LTE手机应用
  • RKE、AMR和ZigBee等ISM应用以及新兴的无线应用。
• 用作分立有源混频器：
  • VCO放大器和缓冲放大器
   

相关产品：Infineon BGS12SL6射频MOS开关是一款通用型0.1GHz至6.0GHz SPDT开关，适合用于在蜂窝系统和WLAN应用中进行频段/模式切换。2个端口中的任何一个均可用作具有高达27.5dBm功率处理能力的分集天线的终端。该单电源芯片集成了由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动的片上CMOS逻辑。0.1dB的压缩点超过了开关的最大输入功率水平，从而在所有信号电平下均实现线性性能。该射频开关具有极低的插入损耗，在1GHz和2.5GHz下分别为0.25dB和0.35dB。BGS12SL6射频开关采用Infineon获得专利的MOS技术制造而成，其既具有GaAs性能，又结合了传统CMOS的经济性和高集成度，包括固有的更高ESD耐受性。该器件的尺寸极小，仅为0.7x1.1mm2，并具有0.31mm的低高度。只要不向任何射频端口施加直流电，典型应用中即不需要去耦电容。

BGS12SL6数据手册

• 2个高线性TRx路径，功率处理能力高达27.5dBm
• 高开关速度，非常适合用于WLAN和蓝牙应用
• 所有端口完全双向
• 低插入损耗
• 产生低谐波
• 较大的端口到端口隔离

• 0.1GHz至6GHz频率范围
• 高ESD耐受性
• 片上控制逻辑
• 尺寸极小的无铅和无卤封装：TSLP-6-4 (0.7x1.1mm²)，具有0.31mm的超低高度
• 只要不向射频线路施加直流电，即无需去耦电容
• 符合RoHS指令的封装

相关产品：Infineon ESD112B1 TVS ESD/瞬态保护二极管是一款双向、超低电容ESD/瞬态保护二极管，设计用于保护射频信号线路。该器件的最大工作电压为±5.3V，具有超低电容、低钳位电压、极低反向电流、极小外形尺寸，采用无铅（符合RoHS指令）和无卤封装。典型应用包括针对敏感射频信号线路的ESD保护、Bluetooth Class 2、自动抄表、射频天线保护、前端模块、GPS、移动电视、调频广播、UWB以及移动设备。

• 对射频信号线路的ESD/瞬态保护符合以下标准：
  • IEC61000-4-2 (ESD)：±20kV（空气放电/静电放电）
  • IEC61000-4-4 (EFT)：±40A (5/50ns)
  • IEC61000-4-5（浪涌）：±3A (8/20μs)
• 最大工作电压：V_RWM ±5.3V
• 超低电容：C_L = 0.2pF（典型值）
• 低钳位电压：V_CL = 29V（典型值）（I_PP = 16A时）
• 极低反向电流：I_R < 1nA（典型值）
• 极小外形尺寸：低至0.62x0.32x0.31mm³
• 无铅（符合RoHS指令）和无卤封装

• 针对敏感射频信号线路的ESD保护、Bluetooth Class 2、自动抄表
• 射频天线保护、前端模块、GPS、移动电视、调频广播、UWB、移动设备

ESD112B1数据手册