Infineon Technologies BGSX22G5A10 DPDT天线交叉开关

Infineon Technologies BGSX22G5A10 DPDT天线交叉开关设计用于LTE和WCDMA三天线应用。该DPDT开关具有低插入损耗，可生成低谐波，并在射频端口之间具有高隔离度。该开关通过GPIO接口进行控制。该片上控制器支持的电源电压范围为1.65V至3.4V。该开关具有直接连接电池功能和无直流射频端口。与GaAs技术不同，只有在外部施加直流电源时，射频端口处才需要外部直流阻断电容器。BGSX22G5A10射频开关采用Infineon获得专利的MOS技术制造而成，其既具有GaAs性能，又结合了传统CMOS的经济性和高集成度，包括固有的更高ESD耐受能力。该器件外形小巧，尺寸仅为1.1x1.5mm²，最大高度为0.55mm。