Infineon Technologies CoolSiC™混合IGBT
英飞凌科技CoolSiC™ 混合IGBT将650V TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT（绝缘栅极双极晶体管）与CoolSiC™ 肖特基二极管相结合。这些器件经过优化，可为快速开关汽车应用提供经济高效的性能提升。
将同类最佳的IGBT与碳化硅 (SiC) 二极管相结合，为硬开关拓扑实现了完美的成本性能平衡。得益于反向恢复无电荷单极CoolSiC肖特基二极管，IGBT的功率损耗将比纯硅解决方案显著降低。因此，这些器件非常适合用于系统成本敏感型硬换向应用，例如汽车车载充电器应用中的图腾柱拓扑。这些特性可实现更好的余量，用于低复杂性设计输入活动。
英飞凌科技CoolSiC混合IGBT采用PG-TO247-3或PG-TO263-7-HV-ND4.2封装，符合汽车应用类AEC-Q101/100标准。
特性
- 符合AEC-Q101/100标准
- 硬开关和谐振拓扑中的出色效率
- 无反向或正向恢复电荷
- 耐受浪涌电流
- 击穿电压：650V
- 低栅极电荷 (QG)
- 工作结温范围：-40°C至+175°C
- 无铅电镀，符合RoHS指令
应用
- 板载充电器
- 功率因数校正（PFC）
- 直流-直流系统
发布日期: 2021-01-27
| 更新日期: 2025-11-13