Infineon Technologies EiceDRIVER™增强型隔离栅极驱动器IC
英飞凌科技EiceDRIVER增强型隔离式栅极驱动器IC是双通道隔离式栅极驱动器IC，设计用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT电源开关。这些器件采用DSO封装，具有8mm输入至输出爬电距离，并采用片上无芯变压器 (CT) 技术提供增强型隔离。
英飞凌2EDRx259X和2EDRx258X型号采用14引脚DSO封装，增加了通道间爬电距离。2EDRx259X和2EDRx258X非常适合用于总线电压或污染度较高的应用，通常可简化PCB布线。所有版本均具有可选的击穿保护 (STP) 和死区时间控制 (DTC) 功能。该功能允许用作具有可配置死区时间的双通道低侧、双通道高侧或半桥栅极驱动器。EiceDRIVER增强型隔离式栅极驱动器IC具有出色的共模瞬态抑制 (CMTI)、低零件间偏移和快速信号传播等特性，非常适合用于快速开关电源转换系统。
特性
- 双通道隔离式栅极驱动器，用于硅和碳化硅MOSFET和GaN HEMT电源开关
- 快速输入至输出传播 (38ns)，具有出色的稳定性 (+9/-5ns)
- 强大的5A/9A拉电流/灌电流输出级
- 快速输出钳位，对于VDDA/B < UVLO
- 快速UVLO恢复时间 (<2μs)
- 4个VDDA/B UVLO选项：4V、8V、12V、15V
- CMTI：>150V/ns
- 采用16/14引脚300mil DSO封装
应用
- 服务器、电信SMPS
- 电动汽车非车载充电器
- 低压驱动器和电动工具
- 微型太阳能逆变器、太阳能优化器
- 工业电源（SMPS、住宅UPS）
零件对比
应用示意图
框图
发布日期: 2023-09-08
| 更新日期: 2023-09-22