Infineon Technologies 高侧与低侧驱动器
英飞凌科技高侧和低侧驱动器设计用于控制MOSFET和IGBT，包括两个非互锁通道。该器件采用650V高侧和低侧绝缘体硅片 (SOI) 栅极驱动器IC，具有高 (2.5A) 和低电流 (0.7A) 选项。英飞凌高侧和低侧驱动器具有出色的耐用性和抗噪性，非常适合用于电机驱动器、家用电器、SMPS、电池供电应用和大功率照明。
特性
- 噪声抑制
- 优异的坚固性
应用
- 电机驱动器
- 家用电器
- SMPS
- 电池供电应用
- 大功率照明
相关产品
Infineon Technologies 1200V电平移位栅极驱动器
提供各种工业驱动用1200 V电平移位栅极驱动器。
Infineon Technologies 2EDi EiceDriver栅极驱动器IC
双通道、功能齐全的增强型MOSFET隔离栅极驱动器，适用于高性能半桥
框图
视频
评估板
Infineon Technologies EVAL_HB_2EDL803X_G4B评估板
采用EiceDRIVER™ 2EDL8034-G4B 结隔离式高压侧和低压侧栅极驱动器IC。
Infineon Technologies EVAL_HB_2EDL803X_G3C评估板
评估EiceDRIVER™ 2EDL803x-G3C结隔离式高侧和低侧栅极驱动器IC。
发布日期: 2023-07-10
| 更新日期: 2023-07-27