Infineon Technologies 采用SiC MOSFET和NTC的HybridPACK™ DSC S模块

英飞凌采用SiC MOSFET和NTC的HybridPACK ™ DSC S模块是高性能电源模块，设计用于要求苛刻的汽车应用，尤其是混合动力和电动汽车 (xEV)。这款紧凑型半桥模块集成了碳化矽 (SiC) MOSFET和NTC热敏电阻，具备卓越的效率与热性能。这些模块具备1200V的耐压能力和190A的额定电流，凭借SiC技术的固有优势，支持高速开关操作，并实现低导通损耗与低开关损耗。

该模块采用低电感设计（<8nh），并配备双面冷却 (dsc)="" 结构，以提升散热性能，支持在高达+175°c的结温下运行。aln底层确保低热阻，而集成的ntc传感器则提供实时温度监测以保护系统。ff06mr12a04ma2符合rohs标准，获得ul="">

特性

用电
- 最大漏源电压：1200V
- 实现的漏极电流：190A
- 最大正向漏电流：380A
- 低电感设计：≤8nH
- 低漏极-源极导通电阻
- 低开关损耗
- 总栅极电荷和反向传输电容低
- 碳化矽 (SiC) 半导体材料
- 开关条件下的温度：+175°C

机械方面
- 4.25kV_DC 隔离能力，持续1秒
- 紧密设计
- 大功率密度
- 低热阻AIN底层
- 集成NTC温度传感器
- UL 94-V0等级模块框架
符合IFX汽车标准
符合RoHS标准

应用

汽车
混合电动汽车 [(H)EV]
电机驱动器

规范

MOSFET
- 最大漏源电压：1200V
- 最大DC漏极电流：190A
- 最大脉冲漏极电流：380A
- 栅极-源极电压
  - 最大静态电压：-5/20V
  - 最大瞬态电压：-10/23V
- 导通状态栅极电压：18V
- 关断状态栅极电压：-5V
- 最大漏源导通电阻：14.50mΩ
- 栅极阈值电压范围：3.25V至4.55V
- 典型总栅极电荷：0.42µC
- 内部栅极电阻：0.9Ω
- 典型电容
  - 10.1 nF输入
  - 0.43 nF输出
  - 反向传输：0.04 nF
- 最大漏电流
  - 100µA漏极-源极
  - 100nA栅极-源极
- 典型时间（电感负载）
  - 导通延迟：29ns至32ns
  - 上升时间：23ns至25ns
  - 关断延迟：228ns至251ns
  - 下降时间：53ns至62ns
- 典型单脉冲能量损耗
  - 导通范围：7.10mJ至9.90mJ
  - 关断范围：8.30mJ至9.10mJ
- 结温至冷却液热阻：0.251K/W
- 开关条件下的温度范围：-40°C至+175°C

绝缘配合
- 隔离测试电压：4.25kV
- AIN内部隔离
- 爬电距离
  - 端子至散热器：8.5mm
  - 端子至端子：4.3mm
- 间隙
  - 端子至散热器：8.5mm
  - 端子至端子：3.4mm
- 比较耐漏电起痕指数：>600
- 7.5nH典型杂散电感模块
- 模块引线电阻：0.45mΩ（端子至芯片）
体二极管 (MOSFET)
- 最大漏源电压：1200V
- 最大DC体二极管正向电流：75A
- 最大脉冲体二极管电流：380A
- 最大正向电压：6.88 V
- 典型峰值反向恢复电流：43A至98A
- 恢复电荷范围：0.50µC至3.40µC
- 典型反向恢复能量：0.1mJ至0.8mJ
NTC热敏电阻
- 典型额定电阻：5kΩ
- _R100 偏差：±5%
- 最大功率耗散：20mW
- 典型B值范围：3375K至3433K