Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V车规功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 7 40V车规级功率MOSFET是大电流、低RDS(on) MOSFET,具备经优化的开关特性。这些N沟道车规MOSFET具有大功率密度、低导通损耗和大电流密度。OptiMOS™ 7 MOSFET采用3mm x 3mm高级无引线封装,采用铜夹以实现低封装Ron和最小杂散电感。此系列MOSFET 100%经过雪崩测试,符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 MOSFET非常适合用于配电、车窗升降、电动座椅、高冗余EPS和车身控制模块等应用。

特性

  • 大功率和大电流密度
  • 高热容量引线框架封装
  • 降低导通损耗
  • 经优化的开关性能
  • 60 A电流能力
  • RDS(on)范围:1.2mΩ至4.9mΩ
  • 最大VDS:40V
  • 最大ID:60A(25°C时)
  • 3mm x 3mm小占位面积
  • JEDEC行业标准封装PG-TSDSON-8
  • 100%经雪崩测试
  • 符合RoHS指令
  • 符合 AEC-Q101

应用

  • 配电
  • 车身控制模块
  • 车窗升降
  • 电动升降门
  • 电动座椅
  • 电动驻车制动器
  • 高冗余EPS
  • 小型BLDC驱动器

包装外形

机械图纸 - Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V车规功率MOSFET
发布日期: 2025-04-24 | 更新日期: 2026-01-15