Infineon Technologies IR21531半桥驱动器

英飞凌科技IR21531半桥驱动器具有设计用于CT 引脚的关断特性,可使用低压控制信号禁用栅极驱动器输出。该半桥驱动器通过降低栅极驱动器的峰值di/dt以及将欠压锁定滞后增加到1V来提高抗噪性。IR21531半桥驱动器具有真正微功率启动、更严密的初始死区时间控制、低温度系数死区时间以及所有输入和输出上出色的闩锁抑制能力等特性。该半桥驱动器所有引线上均具有静电放电 (ESD) 保护功能,并设有较低di/dt栅极驱动器,可实现更好的抗噪性以及低侧输出与RT同相。IR21531半桥驱动器非常适合用于一次侧和照明荧光镇流器。

特性

  • 集成600V半桥栅极驱动器
  • Vcc上15.6V齐纳钳位
  • 真正微功率启动
  • 更严密的初始死区时间控制
  • 低温度系数死区时间
  • CT引脚上关断特性 (1/6 Vcc)
  • 增加的欠压闭锁滞后 (1V)
  • 低功耗电平转换电路
  • 启动时恒定LO、HO脉冲宽度
  • 更低di/dt栅极驱动器,实现更好抗噪性
  • 低侧输出与RT同相
  • 内部50ns(典型值)自举二极管 (IR21531D)
  • 所有输入和输出出色的闩锁抑制能力
  • 所有引线均提供ESD保护
  • 另外还可提供无铅型号

应用

  • 照明荧光镇流器
  • 一次侧

RT对比频率

性能图表 - Infineon Technologies IR21531半桥驱动器

框图

框图 - Infineon Technologies IR21531半桥驱动器
发布日期: 2020-09-01 | 更新日期: 2024-11-22