Infineon Technologies IRS2007 200V半桥驱动器

Infineon Technologies IRS2007 200V半桥驱动器是高压、高速的功率MOSFET驱动器，设有从属的高侧和低侧参考输出通道。采用专有的HVIC和防闩锁CMOS技术，实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。这些输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于在工作电压高达200V的高侧配置下，驱动N通道功率MOSFET或IGBT。传播延迟得到匹配，以简化HVIC在高频应用中的使用。