Infineon Technologies IRS2007 200V半桥驱动器
Infineon Technologies IRS2007 200V半桥驱动器是高压、高速的功率MOSFET驱动器，设有从属的高侧和低侧参考输出通道。采用专有的HVIC和防闩锁CMOS技术，实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。这些输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于在工作电压高达200V的高侧配置下，驱动N通道功率MOSFET或IGBT。传播延迟得到匹配，以简化HVIC在高频应用中的使用。
特性
- IO+/IO-：290mA/600mA典型栅极电流
- 栅极驱动电压高达每通道20V
- 针对VCC、VBS的独立欠压锁定
- 3.3V、5.0V、15.0V输入逻辑兼容
- 可承受负瞬态电压
- 设计用于自举电源
- 防跨导逻辑
- 针对两个通道的匹配传播延迟
- 内部设定死区时间
- 高侧输出与HIN输入同相
- 低侧输出与LIN输入异相
- 工作温度范围：-40°C至125°C
- 2kV HBM ESD
- 符合RoHS指令
应用
- 电池供电型电动工具
- 电池供电型园艺设备
- 轻型电动车（电动自行车、电动踏板车、电子玩具）
- 无线充电
- 其他通用电池驱动型应用
典型接线图
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适用于200V半桥/高侧和低侧电平移位型栅极驱动器。
发布日期: 2018-10-16
| 更新日期: 2024-01-12