Infineon Technologies KIT_HB_GaN半桥子板

英飞凌KIT_HB_GaN半桥子板集成多种栅极驱动解决方案,适用于CoolGaN™晶体管650V G5。   该系列子板支持以单极性或双极性栅源电压驱动CoolGaN™晶体管,确保与栅极注入晶体管(GIT)产品兼容。KIT_HB_GaN子板是一款简易即插型解决方案,适用于隔离式单通道或双通道栅极驱动器IC设计。该子板可通过跳线进行配置,无需考虑布局问题。 KIT_HB_GaN子板集成多种栅极驱动器IC选项,包括隔离式单通道EiceDRIVER™ 1EDB7275F和非隔离式EiceDRIVER™ 1EDN7511B。该系列子板还包含具有浮动输出的双通道隔离式栅极驱动器IC(EiceDRIVER™ 2EDB7259Y)。 

特性

  • 隔离式单通道栅极驱动器IC(EiceDRIVER™ 1EDB7275F)以及通过简单的单通道非隔离式栅极驱动器IC(EiceDRIVER™ 1EDN7511B)实现的可配置隔离式偏置电源
  • 具有浮动输出的双通道隔离式栅极驱动器IC(EiceDRIVER™ 2EDB7259Y)
  • 兼容栅极注入晶体管(GIT)产品
  • 简易即插型解决方案,适用于隔离式单通道或双通道栅极驱动器IC设计
  • 通过跳线进行配置,无需考虑布局问题

方框图

框图 - Infineon Technologies KIT_HB_GaN半桥子板

KIT_HB_GaN正面和背面视图

Infineon Technologies KIT_HB_GaN半桥子板
发布日期: 2026-06-25 | 更新日期: 2026-07-23