Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
英飞凌中压CoolGaN™双向开关由采用英飞凌氮化镓技术的单片双向开关（BDS）构成。该系列器件为常关型，采用单肖特基栅极（SG），可双向阻断电压与电流。此系列英飞凌中压CoolGaN™双向开关采用超小尺寸封装，非常适合用作各种应用的电池断路开关。
特性
- 40V双向增强模式晶体管
- 共源配置
- 双向阻断能力
- 低导通电阻
- 符合JEDEC标准
- 封装尺寸小于背对背硅解决方案
- +25°C时功率损耗节省72mW
- 高温下功率损耗降低100mW以上
应用
- 移动设备与智能手机解决方案
- 电源转换
封装与电路图
相关开关
Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5双向开关 (BDS)
单片GaN开关，能够在两个方向上主动阻断电压和电流。
发布日期: 2026-03-04
| 更新日期: 2026-03-17