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Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET的性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能等领域提供最佳性能。该系列MOSFET适用于硬开关和软开关拓扑结构。硬开关优化型器件具有出色的米勒比率、FOM和RDS(on)。软开关优化型MOSFET具有超低RDS(on)和FOMQg。

英飞凌N沟道OptiMOS 7 25V功率MOSFET采用3.3mm x 3.3mm2 SD封装。

特性

  • 针对具体应用而优化
  • 提升性能与效率
  • 先进的抗感应导通能力
  • 降低驱动与开关损耗
  • 降低导通损耗
  • 提高可靠性与功率密度
  • 出色的热性能
  • 降低封装寄生效应
  • 简化MOSFET并联

应用

  • 数据中心与人工智能数据中心解决方案
  • 48V中间总线转换器（IBC）
  • 电信基础设施
  • 电源转换
  • 服务器电源 (PSU)

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Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
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物料编号 数据表 Qg-栅极电荷 Id-连续漏极电流 Vgs - 栅极-源极电压 通道数量
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 数据表 29 nC 460 A 12 V 1 Channel
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 数据表 29 nC 430 A 12 V 1 Channel
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 数据表 22 nC 348 A 16 V 1 Channel
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 数据表 29 nC 422 A 12 V 1 Channel
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1 数据表 27 nC 406 A 16 V 1 Channel
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 数据表 27 nC 298 A 16 V 1 Channel
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 数据表 22 nC 338 A 16 V 1 Channel
IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 数据表 17.2 nC 282 A 16 V 1 Channel
IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH84NE2LM7UCGATMA1 数据表 17.2 nC 275 A 16 V 1 Channel
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 数据表 27 nC 440 A 16 V 1 Channel
发布日期: 2026-03-03 | 更新日期: 2026-03-26