返回Infineon Technologies

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 N通道MOSFET

英飞凌科技OptiMOS™ 3 N沟道MOSFET采用SuperSO8无引线封装，具有低导通电阻。OptiMOS 3 MOSFET在工业、消费和电信应用中将功率密度提高到50%。OptiMOS™ 3采用40V、60V和80V N沟道MOSFET，采用SuperSO8和热缩SuperSO8 (S3O8) 封装。与标准晶体管外形 (TO) 封装相比，SuperSO8将功率密度提高了50%。

特性

  • N沟道，正常电平
  • 出色的栅极电荷x RDS(on) 积 (FOM)
  • 极低导通电阻RDS(on)
  • 无铅电镀；符合RoHS指令
  • 无卤素，符合IEC61249-2-21标准
  • 非常适合用于高频开关和同步整流
  • 额定温度达175°C

应用

  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 电机控制和驱动器
  • 逆变器
  • 计算

资源

相关产品

Infineon Technologies Infineon 无人机/遥控直升机解决方案

一套包含各种元器件的高品质产品组合。

Learn More关于Infineon Technologies Infineon 无人机/遥控直升机解决方案

Infineon Power and Sensing Selection Guide

View Results ( 7 ) Page
物料编号 数据表 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 封装 / 箱体
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 数据表 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V TDSON-8
ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 数据表 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V TDSON-8
IPD048N06L3GATMA1 IPD048N06L3GATMA1 数据表 90 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V DPAK-3 (TO-252-3)
IPD079N06L3GATMA1 IPD079N06L3GATMA1 数据表 50 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V DPAK-3 (TO-252-3)
IPT030N12N3GATMA1 IPT030N12N3GATMA1 数据表 237 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V
IPD220N06L3GATMA1 IPD220N06L3GATMA1 数据表 30 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V DPAK-3 (TO-252-3)
ISC151N20NM6ATMA1 ISC151N20NM6ATMA1 数据表 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V TDSON-8
发布日期: 2019-03-25 | 更新日期: 2022-03-11