Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100V功率MOSFET
英飞凌科技OptiMOS™ 6 100V功率MOSFET采用SuperSO8和PQFN 3.3x3.3封装，优化用于电信和太阳能等高频开关应用，其中损耗与充电（开关）和导通电阻（导通）相关。此外，得益于同类最佳的RDS(on) 和更宽的安全工作区 (SOA)，该器件还非常适合用于电池供电应用 (BPA) 和电池管理系统 (BMS)。
与OptiMOS™ 5技术相比，英飞凌领先的薄晶圆技术显著提高了性能——请参阅以下特性。
特性
- 与上一代/OptiMOS™ 5技术相比：
- RDS(on) 低18%，SOA更宽
- 显著提高FOM，以提高效率：
- FOM Qg x RDS(on) = -29%
- FOM Qgd x RDS(on) = -42%
- 反向恢复电荷 (Qrr) 更低、更软
- 优化用于高开关频率应用（例如太阳能、电信）
- 由于散热设计更简单，并联更少，降低了系统成本
- MSL 1，符合J-STD-020标准
- 性价比高，适合用于高开关频率应用（例如太阳能、电信）
- 低导通损耗
- 低开关损耗
- 快速导通和关断
- 符合RoHS指令，不含铅
应用
- SMPS（电信、服务器、充电器/适配器、电视电源等）
- 太阳能
- 电池管理系统 (BMS)
- 电池供电应用（电动工具、无人机/遥控直升机、机器人）
- 电机控制
视频
信息图
发布日期: 2021-11-30
| 更新日期: 2022-03-11