Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET凭借强大的功率MOSFET技术提供卓越的性能。与OptiMOS 5相比，OptiMOS 60V功率MOSFET的RDS(on)降低37%以上，FOMQg x RDS(on)性能提升约25%。英飞凌OptiMOS 6 60V功率MOSFET在软开关拓扑和低频应用中可实现更高的系统效率与功率密度。
特性
- 与采用SSO8封装的OptiMOS 5相比，RDS(on)降低37%以上
- 高性能硅技术
- 标准电平栅极驱动器
- 额定电压：+175 °C
- 通过工业级认证
应用
- 直流-直流转换器
- 静态开关
- 服务器电源 (PSU)
- 电信基础设施
- 电池管理系统 (BMS)
- 软开关应用
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Infineon Technologies OptiMOS™ 6功率MOSFET
先进的下一代创新性器件，性能极为出色。
资源
封装产品组合
发布日期: 2026-03-02
| 更新日期: 2026-03-26