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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET

英飞凌 OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET凭借广泛的产品组合（包括：PQFN 3.3mm x 3.3mm；SuperSO8 PQFN 5mm x 6mm双侧冷却；以及PQFN 3.3mm x 3.3mm源极朝下）确立了行业性能基准。本80V系列非常适合电信、服务器和太阳能等高切换频率应用。OptiMOS™ 6 80V产品的性能改进也在电池管理系统 (BMS) 中表现出优势。

特性

  • N沟道，常规电平
  • 导通电阻
    • 与采用SSO8封装的OptiMOS™ 5相比，RDS(on)降低超过24%
    • 与已发布的PQFN 3mmx3mm封装产品相比，RDS(on)降低超过28%
  • 优异的栅极电荷xRDS(on)积（FOM）
  • 反向恢复电荷非常低
  • 业界标准封装产品组合
  • 高雪崩能量等级
  • 常规电平栅极驱动器
  • 改善了功率、SOA和雪崩电流
  • 额定电压：+175 °C
  • 达到工业级标准
  • 非常适合用于高频开关和同步整流
  • 引线无铅电镀，符合RoHS标准
  • 无卤素，符合IEC61249-2-21标准

应用

  • 电信基础设施
  • 光伏应用
  • 电池管理系统 (BMS)
  • 服务器电源 (PSU)
  • 直流-直流电源转换

规范

  • 最小漏极-源极击穿电压：80V
  • 栅极阈值电压范围：2.4V至3.5V
  • 最大栅极-源极漏电流：100nA
  • 漏极连续电流最大范围：37A至271A
  • 典型跨导选项：220S或230S
  • 栅极电阻范围：0.75Ω至1.8Ω
  • 最大脉冲漏极电流范围：676A至1084A
  • 最大栅源电压：±20V
  • 最大功率耗散范围：3.8W至375W
  • 最大单脉冲雪崩能量选项：1291mJ或1443mJ
  • 单脉冲雪崩电流：100 A（最大值）
  • 最大热阻
    • 结至外壳：0.4°C/W
    • 结至环境：40°C/W（冷却面积为6cm2）
    • 结至外壳：62°C/W（最小占位面积）
  • 工作温度范围：-55 °C至+175 °C
  • 封装选项：PQFN 3.3mm x 3.3mm；SuperSO8 PQFN 5mm x 6mm双侧冷却；以及PQFN 3.3mm x 3.3mm源极朝下

数据手册

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发布日期: 2025-12-10 | 更新日期: 2025-12-23