Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 7优化40V N沟道功率MOSFET是经过优化的电机驱动器，可为驱动器、电源和园艺工具中的高效电源转换提供量身定制的解决方案。英飞凌40V产品组合提供额外的电压节点和低导通电阻[RDS(on)]，并提供标准封装选项，包括PG-TDSON（PQFN 5mmx6mm）、PG-TSDSON（PQFN 3.3mmx3.3mm）和PG-WSON-8（PQFN 5mmx6mm双面冷却）。目标应用包括电机控制、电池管理系统（BMS）、无线吸尘器、园林工具和动力工具。
特性
- 效率更高，性能更优，减少了功率损耗
- 在恶劣条件下的鲁棒性得到改善
- 改进的脉冲电流处理能力
- 提高对短路事件的免疫能力
- 提高对寄生通电事件的免疫能力
- 固有的短路电流限制
- 改进转换速度控制/更好的EMI性能，以及易于使用
- N沟道，正常电平
- 增强型SOA
- 优化驱动
- 出色的热阻
- 受控跨导
- 100% 经雪崩测试
- PG-TDSON（PQFN 5mmx6mm）、PG-TSDSON（PQFN 3.3mmx3.3mm）和PG-WSON-8（PQFN 5mmx6mm双面冷却）封装
- 符合JEDEC JESD47、JESD22和J‑STD‑020标准，适用于工业应用
- 无铅引线镀层，符合RoHS标准
- 符合IEC61249‑2‑21标准，无卤素
应用
- 无线电动工具和吸尘器
- 户外设备
- 非堆叠式BMS解决方案
- 低功耗BDC/BLDC电机驱动器，最高可达72V
规范
- 最小漏极-源极击穿电压为40V
- 栅极阈值电压范围为2.35V至3.15V
- 零栅极电压漏极电流范围为1μA至100μA
- 最大栅极-源极漏电流为100nA
- 最大漏极-源极导通电阻范围为0.5mΩ至1.63mΩ
- 典型栅极电阻范围为0.7Ω至1Ω
- 典型跨导范围为100S至150S
- 最大漏极连续电流范围为31A至458A
- 最大脉冲漏极电流范围为696A至1832A
- 最大单脉冲雪崩能量范围为68mJ至726mJ
- 最大栅极源电压为±20V
- +25°C时最大功率耗散范围为94W至214W
- 最大工作存放温度范围为-55°C至+175°C
- 典型电容范围
- 输入电压：2400 pF至7700 pF
- 输出：1300 pF至4000 pF
- 反向传输为30pF至87pF
- 典型定时范围
- 导通延迟：8.2 ns至16 ns
- 上升时间：2.6 ns至8.1 ns
- 关断延迟：13 ns至36 ns
- 下降时间：4.5 ns至12 ns
- 最大热阻
- 结至底壳为0.7°C/W至1.6°C/W
- 结至顶壳为20°C/W
- 结至环境为50°C/W，冷却面积为6cm2
原理图
发布日期: 2025-09-15
| 更新日期: 2025-10-02